Номер детали производителя : | HS1AL RQG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS1AL RQG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS1AL RQG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS1AL RQG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 50 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 50 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | HS1A |
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
50NS, 1A, 50V, HIGH EFFICIENT RE
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC